絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)

    前而介紹了 BJT和MOSFET，各自的優(yōu)缺點，BJT屬雙極型器件，具有耐壓水平高、電流大、導通電壓低等優(yōu)點，但開關(guān)時間長，有二次擊穿現(xiàn)象以及控制功率大的缺點。MOSFET是屬單極型器件，具有開關(guān)頻率高，沒有二次擊穿現(xiàn)象，元件并聯(lián)運行容易，控制功率小，但其導通電阻大，耐壓水平不容易提高等缺點。能否開發(fā)出一種新型的兼有BJT和MOSFET優(yōu)點的器件，IGBT就是這樣一種用MOS控制晶體管的復合器件，具有耐壓高、電流大、開關(guān)頻率高、導通電阻小、控制功率小的性能優(yōu)異的器件。IGBT器件不斷改進其本身的第三代產(chǎn)品已開發(fā)出來，如圖1-40所示。

絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)
 
圖1-40 IGBT第三代特性改善                 圖1-41 IGBT結(jié)構(gòu)原理