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一、概述 MOSFET全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，可實現(xiàn)開關(guān)和信號放大等功能，與雙極型晶體管（也稱BJT、三極管）和絕緣柵雙極晶體管（也稱IGBT）同屬于晶體管領(lǐng)域。MOSFET具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好等特性，應(yīng)用于包括通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制在內(nèi)的眾多領(lǐng)域。 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 根據(jù)觀研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年）》顯示，在技術(shù)方面，MOSFET、BJT和IGBT同屬于功率器件大類下的晶體管產(chǎn)品。與BJT相比，MOSFET可在低電流和低電壓條件下工作，也可用于大電流開關(guān)電路和高頻高速電路。同時，MOSFET具有易于驅(qū)動、輸入阻抗高、開關(guān)速度快、導(dǎo)通內(nèi)阻小等特點，結(jié)構(gòu)較BJT更為復(fù)雜，靈活性較BJT更優(yōu)。 BJT、MOSFET及IGBT的技術(shù)特性對比
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 二、發(fā)展現(xiàn)狀 近年來，全球MOSFET行業(yè)市場規(guī)模保持穩(wěn)定擴張，市場前景廣闊。根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年全球MOSFET市場規(guī)模為113.2億美元，預(yù)計2025年將增長至150.5億美元，2021-2025年復(fù)合增長率達7.4%。
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 在中國市場，我國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模也保持穩(wěn)定擴張趨勢，且增速高于全球市場增速。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2021年中國MOSFET市場規(guī)模約為46.6億美元，占全球市場的41%，預(yù)計2025年將增長至64.7億美元，2021-2025年復(fù)合增長率為8.5%。
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 具體從細分市場進行分析，根據(jù)工作電壓劃分，以400V為分界，MOSFET可分為高壓MOSFET和中低壓MOSFET；根據(jù)器件結(jié)構(gòu)劃分，MOSFET可分為平面MOSFET、溝槽型MOSFET、超結(jié)MOSFET等。 三類MOSFET器件特性對比
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 在國產(chǎn)化率方面，根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年我國中低壓平面（400V以下）MOSFET的國產(chǎn)化率約為42.2%，高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為29.9%，超高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為18.2%。由此可見，我國高壓MOSFET的國產(chǎn)化率低于中低壓產(chǎn)品。 對細分市場的市場前景進行分析，MOSFET行業(yè)細分產(chǎn)品可以應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。以智能家居為例，根據(jù)Strategy Analytics相關(guān)資料，擁有一件以上智能家居產(chǎn)品的家庭比例在2021年達到15%，預(yù)計2025年將接近20%，而市場規(guī)模將從2021年的1230億美元增長至2025年的1730億美元，市場前景廣闊。 再以工業(yè)控制領(lǐng)域代表性應(yīng)用產(chǎn)品逆變器為例，2021年全球光伏逆變器市場規(guī)模為191.8億美元，預(yù)計2028年將超過270億美元，根據(jù)當(dāng)前6%的功率器件成本占比計算，光伏逆變器中使用的功率器件市場規(guī)模超過100億元，市場前景廣闊。 而超結(jié)MOSFET下游應(yīng)用市場主要受新能源汽車帶動，以其新能源充電樁為例，根據(jù)中國電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進聯(lián)盟數(shù)據(jù)，2021年中國新能源充電樁市場規(guī)模達418.7億元，預(yù)計2026年將達到2870.2億元，這將產(chǎn)生大量超結(jié)MOSFET需求，具有廣闊的市場前景。 綜上所述，我國MOSFET行業(yè)細分市場規(guī)模將繼續(xù)保持增長，其下游應(yīng)用領(lǐng)域均有廣闊的市場前景。 三、競爭格局 目前，英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、東芝、瑞薩等國際先頭品牌憑借著先進制造優(yōu)勢、人才集聚優(yōu)勢、大規(guī)模研發(fā)投入和技術(shù)積累，占據(jù)全球MOSFET市場的主要份額。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，以銷售額計，2020年全球MOSFET行業(yè)CR7達到68.09%，市場競爭格局相對穩(wěn)定，而我國MOSFET行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)市場份額CR3僅占10.26%，華潤微、士蘭微分別位列第八位和第十位，安世半導(dǎo)體（已被聞泰科技收購）位列第九位。這說明，經(jīng)過多年發(fā)展，我國國產(chǎn)企業(yè)已在國際競爭中嶄露頭角，但與國外企業(yè)相比仍然具有一定的差距。
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 具體來看，根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年英飛凌和安森美分別占據(jù)了中國MOSFET市場產(chǎn)品銷售額的24.87%和16.53%，國產(chǎn)最大的MOSFET企業(yè)—華潤微，市場占有率約為9%，排名第三。
數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告（2023-2030年） 不過，隨著政府的政策引導(dǎo)及資金扶持，我國MOSFET行業(yè)蓬勃發(fā)展，國產(chǎn)企業(yè)資本支出和研發(fā)投入持續(xù)提升，并且涌現(xiàn)出華潤微、士蘭微、華微電子、新潔能、東微半導(dǎo)等一批廠商，與外資頭部企業(yè)進行市場競爭，這也進一步說明我國MOSFET國產(chǎn)品牌與國外品牌的技術(shù)差距正在縮小。 |
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