實(shí)現(xiàn)位數(shù)組的方式很多，下面是<c programming FAQs>中提供的方法：#include <limits.h>#define BITMASK(b) (1 <<((b) % CHAR_BIT))#define BITSLOT(b) ((b) / CHAR_BIT)#define BITSET(a, b) ((a)[BITSLOT(b)] |= BITMASK(b))#define BITCLEAR(a, b) ((a)[BITSLOT(b)] &= ~BITMASK(b))#define BITTEST(a, b) ((a)[BITSLOT(b)] &BITMASK(b))#define BITNSLOTS(nb) ((nb + CHAR_BIT - 1)/CHAR_BIT)例子：

自制刷機(jī)小板電路圖PCB圖分享(附串口MAX232電路圖)自制刷機(jī)小板電路圖PCB圖分享(附串口MAX232電路圖)給中9 刷機(jī)時(shí)，小板起到的作用就是對(duì)電平的轉(zhuǎn)換,通俗點(diǎn)講就是把電腦發(fā)出的信息轉(zhuǎn)換成接收機(jī)能讀懂的信息,就如翻譯一樣.下面我們來(lái)看看兩張小板的電路圖，這兩個(gè)圖都是用了MAX232這個(gè)電腦串口電平轉(zhuǎn)換專用芯片，它有著兼容性好、穩(wěn)定性好、外圍電路簡(jiǎn)單、容易制作等優(yōu)點(diǎn)。

他的方法其實(shí)并不復(fù)雜，首先用0R5電流采樣電阻得到0.175V電壓，但這個(gè)電壓太小，然后與TL431電壓基準(zhǔn)的可調(diào)分壓疊加，就可以達(dá)到模塊要求的0.925V，就是所謂戴維寧疊加定理。4、電壓外部調(diào)節(jié)在不開(kāi)蓋的基礎(chǔ)上，通過(guò)對(duì)Vadj串接電阻到地或串接電阻到Vout，可以調(diào)節(jié)電壓。原理很簡(jiǎn)單，用電位器R7進(jìn)行可調(diào)的輸出電壓采樣，并用Q1與Vadj的0.925V做比較，電壓超出大約0.5V后Q1開(kāi)始導(dǎo)通，把Vadj拉高，從而限制了輸出電壓的進(jìn)一步增大。

PhilipsSemiconductorsProductspecification.transistorIRF540,IRF540S.DS(ON)2drain.SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT.Gate-sourcevoltage-±20V.SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT.thj-mb.GS(TO)Gate-drain(Miller)charge--29nC.-8ns.Fig.1.Fig.2.Fig.3.Fig.4.Fig.5.Fig.6.Drain-SourceVoltage,VDS(V)DrainCurrent,ID(A)RDS(on)=VDS/ID.Fig.7.Fig.8.Fig.9.Fig.10.Fig.11.GS)Fig.12.Gate-sourcevoltage,VGS(V)

[開(kāi)關(guān)電源][圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路]第一例：圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路。先上圖，具體分析下班回去說(shuō)明。說(shuō)明：Qn：N BJT.Qp：P BJT.Qmos：待驅(qū)動(dòng)NMOS.Rb：基極電阻。Cb：加速電容。Rc：集電極電阻。Rg：驅(qū)動(dòng)電阻。

由于超級(jí)電容的放電不完全，存在最低工作電壓Umin，所以單體超級(jí)電容的能量為 ，其中C為超級(jí)電容的單體電容量，Umax為單體超級(jí)電容充電完成的電壓值。為了構(gòu)成替代12V蓄電池的超級(jí)電容模塊，我們采用8個(gè)2400F/2.7V的電容構(gòu)成模塊，采用4個(gè)超級(jí)電容單體串聯(lián)，兩組并聯(lián)的方式構(gòu)成，如圖1所示。超級(jí)電容的充電的時(shí)間根據(jù)公式C x dv=I x t，其中C為超級(jí)電容的額定容量，dv為超級(jí)電容的電壓變化，I為超級(jí)電容的充電電流，t為充電時(shí)間。