作者：蘇杭

出品：洞察IPO

2019年左右，卷得找不到方向的國產手機廠商們開始在充電功率上大做文章，體積小且能夠大功率充電的氮化鎵充電器粉墨登場，一時間各大手機品牌紛紛推出相關產品。當然，這背后離不開國內氮化鎵芯片產業(yè)的高速發(fā)展。

近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人。

作為國內領先的氮化鎵功率器件生產商，英諾賽科目前仍深陷虧損，融資60余億元，估值超200億元，目前仍面臨半導體巨頭的專利訴訟。

三年虧損67億元

英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產8英吋硅基氮化鎵（GaN）晶圓的公司，也同時是全球唯一具備產業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。

根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計，英諾賽科于2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市場份額為33.7%。

氮化鎵是第三代半導體材料的主要路線之一。第三代半導體材料是以碳化硅（SiC）、氮化鎵等為主的寬禁帶材料，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。主要優(yōu)勢包括導通電阻低、開關頻率高、耐高溫、抗輻射等，可以大大降低器件的導通損耗，減小電路中儲能元件的體積，提高系統(tǒng)可靠性等。

而氮化鎵功率器件具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在消費電子、射頻微波、5G領域，以及探測器、激光器等方面應用前景廣泛。

目前，英諾賽科的經營主要采取IDM模式，具備從設計到制作到封裝測試等全過程的自主能力。

截至2023年12月31日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月10000片晶圓，晶圓良率超過95%。

英諾賽科的氮化鎵產品包括分立器件、集成電路、晶圓及模組，主要應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據中心等領域。

2021年-2023年，英諾賽科營業(yè)收入分別為6821.5萬元、1.36億元、5.93億元；同期其凈利潤分別為-33.99億元、-22.05億元及-11.02億元。

加回就發(fā)行予投資者的金融工具確認的負債賬面值變動（主要由于授予投資者的贖回權的公允價值變動）及股權激勵后的經調整凈利潤分別為-10.81億元、-12.77億元、-10.16億元。

招股書顯示，由于報告期初公司營運尚處于初始研發(fā)階段，銷售額有限，受工程和維護成本（主要包括生產氮化鎵產品和維護設備的工程費用），及有關物業(yè)及設備的折舊及攤銷成本等因素影響，英諾賽科各年度的毛利率分別為-266.1%、-289.4%、-61.0%。

曾毓群投資2億元

第三代半導體在全球范圍內的新一輪競爭下，英諾賽科也被寄予厚望。

2015年12月，離開NASA并先后兩次創(chuàng)業(yè)的駱薇薇（Weiwei Luo）瞄準第三代半導體的廣闊前景，回國注冊成立了英諾賽科（珠海）科技有限公司（“英諾賽科蘇州”）。

2017年7月，在當?shù)卣约巴顿Y機構的支持下，英諾賽科由駱薇薇持股59.5%的InnoScience Group Inc.（“ISG”）出資15億元，蘇州展翼、招銀壹號、深圳共贏、吳江產投、深商創(chuàng)投分別出資1000萬元、3890萬元、110萬元、1.5億元、3000萬元共同成立。

此后，英諾賽科先后融資5輪，共獲資金約62.34億元。參投機構及部門包括蘇州市吳江國資委、韓國SK集團、珠海高新技術開發(fā)區(qū)管委會、中天匯富、中國平安、鈦信資本、毅達資本等。

最近一次的E輪融資發(fā)生在2024年4月，獲得了兩大國資，武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管理委員會全資持股的武漢光谷芯，以及中國東方資產旗下的杭州光曜分別6億元及5000萬元的投資，此輪過后英諾賽科的估值約235億元。

圖片來源：英諾賽科招股書

值得一提的是，2021年2月，寧德時代董事長曾毓群個人出資2億元向英諾賽科增資，并取得2.12%股權。2023年4月，曾毓群將全部所持股權裝讓給妻子洪華燦。

而2023年，客戶G成為英諾賽科第一大客戶，貢獻收入1.89億元，占英諾賽科當年總收入的32.1%。而客戶G為一家2011年注冊于福建，創(chuàng)業(yè)板上市的領先電池制造商，專長為電動汽車動力電池系統(tǒng)及能源儲存系統(tǒng)的研發(fā)、生產及銷售，相關信息與寧德時代高度相符。

被國際巨頭起訴專利侵權

2023年5月，美國氮化鎵廠商宜普公司（EPC）向加州地區(qū)法院和美國國際貿易委員會（ITC）提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了其涉及氮化鎵功率半導體器件的4項核心專利（專利號分別為347、335、294及508）。

EPC認為，其原首席技術官和銷售總監(jiān)加入英諾賽科后不久，英諾賽科便推出與EPC關鍵性能指標幾乎相同的產品，還在銷售過程中宣稱其產品與EPC產品“完全兼容”，積極向EPC公司的客戶推銷其產品。

EPC要求獲得侵權賠償，并希望禁止英諾賽科在美銷售涉及侵權專利的氮化鎵產品。

對此，英諾賽科已經向美國專利商標局專利審判和上訴委員會遞交上述EPC專利的無效申請。2024年3月，美國專利商標局就EPC四件專利的無效做出立案決定。

目前，EPC已撤銷347和335兩項專利主張，而508專利和294專利仍在接受美國專利商標局的無效審查。

7月8日，據《第一財經》報道，ITC判定英諾賽科侵犯了EPC其中一項專利（294專利），但在508專利的權利請求中不存在侵權行為。

對于此裁定，英諾賽科稱將在7月19日前向ITC復審委員會提出上訴，最終裁定預計將于美國時間2024年11月5日公布。

此前，英諾賽科曾向中國國家知識產權局提出申訴，主張EPC包括氮化鎵在內的兩項核心技術專利無效，但中國國家知識產權局確認了EPC在中國的兩項對應專利的有效性。

若接下來的庭審不能翻盤，目前看來，短期內對英諾賽科的直接影響或也有限。報告期內，英諾賽科的主要收入來自于中國內陸，境外收入各期分別僅18.1萬元、614.6萬元、5795.3萬元，僅分別占總收入的0.3%、4.5%、9.8%。

不過，也有業(yè)內人士表示，雖然英諾賽科直接境外銷售收入較少，但若客戶的產品需要在美國銷售，其與英諾賽科的合作也將受到影響。

無獨有偶，2024年3月，德國半導體公司英飛凌也在官網發(fā)表聲明稱正在加利福尼亞州北區(qū)地方法院提起專利侵權訴訟，就英諾賽科侵犯其擁有的一項與氮化鎵技術有關的美國專利尋求永久禁令。

據外媒6月12日報道，英飛凌也向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟，該法院已頒布初步禁令，要求英諾賽科不得在紐倫堡的“PCIM Europe 2024”展會上展示涉侵權產品。

英諾賽科則對此發(fā)布聲明表示，該單方禁令僅適用于PCIM展會，并不影響展會以外的銷售使用。

專利競爭如此激烈，氮化鎵的火爆程度也可見一斑。

據英諾賽科招股書，2023年，全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模為17.6億元，在功率半導體市場中的滲透率為0.5%，占當年全球功率半導體分立器件市場的1.4%。預計到2028年全球氮化鎵功率半導體的市場規(guī)模達501.4億元，占全球功率半導體市場的比例將提升至10.1%，2024年至2028年復合年增長率達98.5%。

其中消費電子中的氮化鎵功率半導體市場預期將由2024年的24.66億元增長至2028年的211.33億元，復合年增長率為71.1%；電動汽車領域市場規(guī)模預計將以216.4%的復合年增長率由2.46億元增長至246.37億元；可再生能源及工業(yè)領域、數(shù)據中心市場規(guī)模則分別預計將于2028年達到15.77億元、14.62億元，復合年增長率分別為69.1%、81.0%。

在可預見的未來，氮化鎵的競爭勢必愈演愈烈。但英諾賽科是否值得數(shù)百億估值、能否贏得專利訴訟、何時才能扭虧，《洞察IPO》將持續(xù)關注。

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