今日小編分享銻化銦晶體，銻化銦(InSb)晶體基片， 可以采用區(qū)域熔煉、直拉法制備：

描述：

銻化銦（InSb）是一種由元素銦（In）和銻（Sb）制成的結(jié)晶化合物，具有穩(wěn)定的物理化學(xué)性能和優(yōu)良的工藝相容性。它是用于紅外探測(cè)器的III-V族的窄間隙半導(dǎo)體材料，包括紅外熱像儀、FLIR系統(tǒng)、紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈系統(tǒng)和紅外天文學(xué)。

以下是銻化銦晶體的基本信息：

晶體結(jié)構(gòu)：InSb為立方晶系閃鋅礦型結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)0.6478nm。

密度和熔點(diǎn)：密度為5.775g/cm3，熔點(diǎn)為525℃。

電子特性：InSb是一種窄帶隙半導(dǎo)體，其室溫禁帶寬度在300K時(shí)為0.17eV，在80K時(shí)為0.23eV。

載流子濃度和遷移率：在室溫下，其本征載流子濃度為1.1×1022/cm3，電子和空穴的遷移率分別為78000cm2/Vs和40000cm2/Vs。

摻雜和導(dǎo)電類型：InSb可以摻雜為N型或P型，其導(dǎo)電類型取決于摻雜類型。

位錯(cuò)密度：位錯(cuò)密度較低，小于2×102cm?2。

應(yīng)用領(lǐng)域：由于其良好的電子特性和光電性能，InSb晶體被廣泛應(yīng)用于制作高靈敏度的光電探測(cè)器、紅外探測(cè)器、激光器等器件。

制備方法：InSb晶體可以采用區(qū)域熔煉、直拉法制備。

不可用于人體，小編RL+2024.1