目前智能手機(jī)所使用的聲學(xué)濾波器主要包括聲表面波（SAW，surface acoustic wave）濾波器和體聲波（BAW，bulk acoustic wave）濾波器。

SAW濾波器是利用鈮酸鋰、石英、鋯鈦酸鉛、鉭酸鋰等壓電材料為基體制作的電聲換能元件，其基本結(jié)構(gòu)由作為傳聲介質(zhì)的壓電材料和叉指式換能器（IDT，interdigital transducer）組成。其中，輸入端的IDT將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成聲波，聲波在基板表面以駐波形式橫向傳播，輸出端的IDT將接收到的聲波轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出，從而實(shí)現(xiàn)濾波。

盡管85.41品目注釋規(guī)定如果“裝配了其他器件（the addition of other components）”，整件貨品則不能作為已裝配的壓電晶體歸入該品目。然而，由于SAW濾波器中的IDT多采用半導(dǎo)體平面工藝[例如，金屬剝離工藝(lift-off)、干法蝕刻工藝(dry etch)]，并非額外裝配的器件，故一般仍將該類濾波器視作已裝配的壓電晶體歸在子目8541.60。

BAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)是由底電極-壓電薄膜-頂電極構(gòu)成的三明治復(fù)合膜，包括固態(tài)裝配諧振器（SMR，solidly mounted resonator）和薄膜體聲波諧振器（FBAR，film bulk acoustic resonator）兩種類型。

BAW濾波器中發(fā)揮主要作用的仍是壓電材料，但其壓電層實(shí)際上是以薄膜的形式沉積在半導(dǎo)體基片上，故在歸類時(shí)就不能再視為“已裝配的壓電晶體”，而一般應(yīng)當(dāng)作為半導(dǎo)體基換能器歸在子目8541.51。

在2023年關(guān)稅調(diào)整方案中，稅則號(hào)列8541.5140下新增了暫定稅率商品“半導(dǎo)體基濾波器”，可能就是指的這類產(chǎn)品。

綜上所述，智能手機(jī)用的聲學(xué)濾波器因制作工藝不同，歸類及適用的進(jìn)口稅率也不盡相同。其中，已裝配的壓電晶體（8541.6000）常年適用0%的最惠國稅率，而盡管半導(dǎo)體基濾波器（8541.5140）在2023年被給予了4%的進(jìn)口暫定稅率，但也意味著該類產(chǎn)品在2022年仍須適用8%的最惠國稅率。