朋友們好，我是電子及工控技術(shù)，我來(lái)回答這個(gè)問(wèn)題。作為電子維修人員來(lái)說(shuō)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS（場(chǎng)效應(yīng)管）管在電路中是常見(jiàn)的兩種電子元器件。今天我根據(jù)平時(shí)維修時(shí)所見(jiàn)到的這兩種器件來(lái)說(shuō)說(shuō)如何區(qū)分IGBT管和MOS管。

首先從這兩種電子元器件上的標(biāo)識(shí)區(qū)別

我們知道電子元器件上所標(biāo)的型號(hào)是有一定含義的，因此我們可以根據(jù)他們身上所標(biāo)的符號(hào)含義來(lái)區(qū)別哪個(gè)是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），哪個(gè)是場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）。首先我們可以根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）的型號(hào)命名和標(biāo)注方法識(shí)別，在大量的維修案例中我總結(jié)出了場(chǎng)效應(yīng)管的三種命名規(guī)則，第一種是場(chǎng)效應(yīng)管按照四部分方式命名的，第一部分是極性數(shù)；第二部分是所用的材料，比如D代表P型硅，反型層N溝道，C是N型硅，反型層P溝道；第三部分是場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型；最后就是代表了場(chǎng)效應(yīng)管的規(guī)格號(hào)了。

比如3DJ6D這種場(chǎng)效應(yīng)管就是按照上述方法命名的，這個(gè)“3”代表三個(gè)極性，D是P型硅材料制作的，并且是反型層N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，這個(gè)“J”代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，最后“6D”就是代表管子的規(guī)格型號(hào)了；第二種命名方式是以“CS”開(kāi)頭命名的，它表示場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這種命名方式是按三部分組合成的，第二部分代表管子的序號(hào)，第三部分代表管子的規(guī)格號(hào)。比如CS45G、CS14A等就屬于這種方式命名的，一般國(guó)產(chǎn)的場(chǎng)效應(yīng)管都采用這種命名方式。

第三種是按照?qǐng)鲂?yīng)管的漏極（D）電流、溝道、耐壓值等來(lái)命名的，并且在前面還有前綴，一般用字母表示，它主要是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行區(qū)分。比如2N80B，這個(gè)2表示漏極電流是2A，N表示場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道的，如果是P，那就表示是P溝道的了，80表示了耐壓值，它表示柵極（G）和源極（S）之間的擊穿電壓Vdss等的耐壓值。

我在平時(shí)維修中所見(jiàn)最多的是國(guó)外型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管，比如電瓶車(chē)充電器里常用的電源開(kāi)關(guān)振蕩管使用的就是場(chǎng)效應(yīng)管，比較常見(jiàn)的有日本和美國(guó)的場(chǎng)效應(yīng)管，比如7N0302 場(chǎng)效應(yīng)管是日立的、 80N055 場(chǎng)效應(yīng)管是NEC的、2SK3494 場(chǎng)效應(yīng)管是松下的、2SK3399 場(chǎng)效應(yīng)管是東芝的、另外還有美國(guó)的仙童3N60A4D場(chǎng)效應(yīng)管、摩托羅拉的 5503DM 等等。總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管的命名規(guī)則不是固定的，它 的廠(chǎng)家不同其命名規(guī)則也不一樣，因此需要在平時(shí)應(yīng)用中積累才行。

2、絕緣柵晶體管（IGBT）的識(shí)別

對(duì)于絕緣柵晶體管（IGBT）從外觀看也是可以識(shí)別的，我在維修電磁爐和變頻器主板時(shí)常常會(huì)看到中小功率的IGBT管，這些電路主板上所用的IGBT管子大多都是國(guó)外的，在電磁爐中常見(jiàn)的有德國(guó)西門(mén)子產(chǎn)的IGBT、日本東芝的、美國(guó)IR的以及韓國(guó)三星的IGBT為主，比如我最常見(jiàn)的IGBT型號(hào)有H20R120系列的絕緣柵晶體管（IGBT）。這些管子每個(gè)廠(chǎng)家命名方法不同，它們的型號(hào)也是完全不同的，這需要積累?？偟膩?lái)說(shuō)由于IGBT和MOS管在外觀上看有時(shí)很相似，只要知道了型號(hào)，一般可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)查詢(xún)是能識(shí)別出來(lái)哪個(gè)是IGBT管哪個(gè)是MOS管的。

用萬(wàn)用表區(qū)別

第二種區(qū)別方法是用萬(wàn)用表測(cè)量，因?yàn)楝F(xiàn)在有的生產(chǎn)廠(chǎng)家為了對(duì)自己產(chǎn)品的保護(hù)，他們會(huì)把一些關(guān)鍵的核心元件表面上的標(biāo)識(shí)打磨掉，這就造成了對(duì)電子元器件的識(shí)別難度，尤其是一些關(guān)鍵的芯片也會(huì)這樣處理，這就會(huì)給維修帶來(lái)一定的難度。對(duì)于簡(jiǎn)單的IGBT于MOS管電子元器件我們可以用萬(wàn)用表測(cè)量它們的極性和好壞。比如以IGBT為例，我們把萬(wàn)用表打到RX1K檔位，在正常情況下IGBT柵極G與集電極C和發(fā)射極E之間是不能導(dǎo)通的，正反向電阻都為無(wú)窮大。在不通電的情況下，IGBT集電極C和發(fā)射極E之間不能正向?qū)?，但是我們知道在C與E之間存在著一個(gè)反向寄生二極管，因此C與E之間的正向電阻為無(wú)窮大，反向電阻比較小。當(dāng)出現(xiàn)一次阻值比較小的時(shí)候，萬(wàn)用表的紅表筆接的是集電極C，黑表筆接的是發(fā)射極E，剩下的一個(gè)引腳就是控制柵極G了，示意圖如下圖所示。

從電路（PCB）板上的絲印層標(biāo)識(shí)的三個(gè)引腳的名稱(chēng)去區(qū)別

我們?cè)诰S修時(shí)，有時(shí)也可以通過(guò)電路板上對(duì)引腳的標(biāo)注進(jìn)行識(shí)別，比如我在維修電瓶車(chē)充電器時(shí)，所用到的場(chǎng)效應(yīng)（MOS）管會(huì)在電路板上對(duì)引腳進(jìn)行標(biāo)注，場(chǎng)效應(yīng)的三個(gè)引腳會(huì)對(duì)應(yīng)電路板上的三個(gè)字母，分別指出三個(gè)引腳依次為源極S、柵極G和漏極D，這說(shuō)明這個(gè)管子就是MOS管了。

MOS管與IGBT的特點(diǎn)

我們知道MOS管和IGBT管都是電壓型控制器件，它們的輸入電阻都很高，所以柵極電流都很小，其驅(qū)動(dòng)功率都小，驅(qū)動(dòng)電路可以做的很簡(jiǎn)單。不同的是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)（MOS）管來(lái)說(shuō)，有的MOS管它的漏極D和源極S可以互換使用，在使用上比較靈活，而絕緣柵雙極晶體管IGBT從制作結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)要比MOS管復(fù)雜一些，從等效圖可以看出，它可以等效一個(gè)由PNP三極管和增強(qiáng)型NMOS管組合而成的功率晶體管，如下圖所示。

從使用實(shí)效上來(lái)看，IGBT在使用上有著更突出的優(yōu)點(diǎn)，比如IGBT在導(dǎo)通工作時(shí)它的導(dǎo)通電流密度大，因?yàn)閺牡刃щ娐房矗闹麟娐奉?lèi)似三極管，工作電流為集電極電流IC，它的工作電流一般是MOS管的數(shù)十倍，因此在電磁爐主電路和變頻器主電路種常會(huì)用到IGBT管；第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，當(dāng)IGBT導(dǎo)通工作后，它的導(dǎo)通電阻很低，在一定的芯片面積和電壓下，IGBT的導(dǎo)通電阻只有MOS管的十分之一；因此可以通過(guò)高電壓和大電流，比如在有的變頻器上所用的IGBT可以承受上千伏的電壓和上千安培的電流。

第三個(gè)優(yōu)點(diǎn)也就是我剛才講的它的耐擊穿電壓很高，其工作安全區(qū)大，在瞬間的高電壓和大電流下IGBT不容易損壞；最后一點(diǎn)就是IGBT工作頻率很高，開(kāi)關(guān)速度很快，可以達(dá)到100KHZ，因此在逆變器上常會(huì)看到IGBT管。總之，MOS管和IGBT管外觀雖然很相似，但是它們的秉性是不一樣的，我們?cè)谄綍r(shí)使用時(shí)要注意它們的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并仔細(xì)觀察測(cè)量，是很容易區(qū)分的，以上就是我對(duì)這個(gè)問(wèn)題的回答，歡迎朋友們分享、留言、討論，敬請(qǐng)關(guān)注電子及工控技術(shù)，感謝點(diǎn)贊。