日前，美國美高森美（Microsemi）公司公布其下一代1200V SiC MOSFET系列的第一款產(chǎn)品，即40mΩ的MSC040SMA120B，該公司還發(fā)布來1200 V SiC肖特基勢壘二極管（SBD），進(jìn)一步擴(kuò)大其SiC分立器件和模塊產(chǎn)品家族。

新的SiC MOSFET產(chǎn)品系列具有高雪崩特性，在工業(yè)、汽車和民用航空領(lǐng)域的電源應(yīng)用方面具有很好的耐用性。該系列的其它產(chǎn)品將在未來幾個月內(nèi)陸續(xù)發(fā)布，包括符合商業(yè)和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的700 V和1200 V SiC MOSFET，結(jié)合Microsemi新發(fā)布的SiC SBD，這些解決方案能夠滿足各種電源應(yīng)用的需求。

Microsemi副總裁兼功率分立和模塊業(yè)務(wù)經(jīng)理Leon Gross說：“我們的新型SiC MOSFET產(chǎn)品系列為客戶提供了更高效的開關(guān)和高可靠性的優(yōu)勢，特別是與硅二極管，硅MOSFET和IGBT解決方案相比”。

Microsemi的下一代SiC MOSFET和新型SiC SBD在額定電流下具有高重復(fù)性的非鉗位電感性開關(guān)（UIS）能力，無任何退化或故障。新型碳化硅MOSFET在約10-15焦耳每平方厘米（J / cm²）的情況下保持較高的UIS能力，短路保護(hù)時間達(dá)到3-5微秒。

為實現(xiàn)低開關(guān)損耗，該公司的SiC SBD在低反向電流下具有折衷的浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱容額定值。另外，其SiC MOSFET和SiC SBD芯片可以在模塊電路中配對使用。

Microsemi的新型SiC MOSFET和SBD廣泛適用于工業(yè)和汽車市場，其SiC MOSFET也可用于醫(yī)療、航空航天、國防和數(shù)據(jù)中心市場中的開關(guān)模式電源和電機(jī)控制應(yīng)用。例如，混合動力電動汽車（HEV）/電動車充電、導(dǎo)電/電感式車載充電（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、EV動力系統(tǒng)/牽引力控制、開關(guān)模式電源、光伏（PV）逆變器、電機(jī)控制和航空航天驅(qū)動。

據(jù)研究和咨詢公司IndustryARC稱，由于受電力電子應(yīng)用的增長驅(qū)動，為增強(qiáng)功率轉(zhuǎn)換效率和降低功率損耗，SiC器件等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)可能從開發(fā)階段轉(zhuǎn)向商業(yè)階段。

電力轉(zhuǎn)換的進(jìn)步為基于SiC的電動汽車充電設(shè)備鋪平了道路，這有助于減少電池充電周期并降低電池組的高成本。IndustryARC預(yù)計，在電動汽車充電市場領(lǐng)域，SiC器件市場將在2024年前保持約33％的增長率。

Microsemi表示，隨著這些趨勢的發(fā)展，其SiC MOSFET的額定失效時間（FIT）比同類Si IGBT在額定電壓方面的中子敏感度要低10倍。其SiC碳化硅SBD補(bǔ)充了其碳化硅MOSFET的穩(wěn)健性，其UIS評級比市面其它產(chǎn)品高出20％。