在下圖的電路中

V上輸入如下的電壓波形：

則二極管上的電流波形如下：

    可以看到，當通入正向電壓時，二極管導通，二極管上的電流為I1，當通入的電壓突然反向時，二極管上的電流也瞬間反向了，隨后才變小，進而進入反向截止狀態(tài)。這個現(xiàn)象就叫二極管的反向恢復。反向電流保持不變的這段時間稱為儲存時間ts，反向電流由I2下降到0.1I2所需的時間稱為下降時間tf。儲存時間和下降時間之和（ts+tf）稱為反向恢復時間。二極管反向截止后還存在的電流被稱為二極管的反向漏電流IR。

二、二極管反向恢復現(xiàn)象的解釋

    在二極管的PN節(jié)上，當外加正向電壓時，P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散，這樣，不僅使勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當數(shù)量的存儲，在Ｐ區(qū)內(nèi)存儲了電子，而在Ｎ區(qū)內(nèi)存儲了空穴 ，它們都是非平衡少數(shù)載流子，如下圖所示。

    空穴由Ｐ區(qū)擴散到Ｎ區(qū)后，并不是立即與Ｎ區(qū)中的電子復合而消失，而是在一定的路程LP（擴散長度）內(nèi)，一方面繼續(xù)擴散，一方面與電子復合消失，這樣就會在LP范圍內(nèi)存儲一定數(shù)量的空穴，并建立起一定空穴濃度分布，靠近結(jié)邊緣的濃度最大，離結(jié)越遠，濃度越小 。正向電流越大，存儲的空穴數(shù)目越多，濃度分布的梯度也越大。電子擴散到Ｐ區(qū)的情況也類似，下圖為二極管中存儲電荷的分布。

    我們把正向?qū)〞r，非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲效應。  
    當輸入電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎rＰ區(qū)存儲的電子和Ｎ區(qū)存儲的空穴不會馬上消失，但它們將通過下列兩個途徑逐漸減少：

    ① 在反向電場作用下，Ｐ區(qū)電子被拉回Ｎ區(qū)，Ｎ區(qū)空穴被拉回Ｐ區(qū)，形成反向漂移電流IR，如下圖所示；

    ②與多數(shù)載流子復合。

    在這些存儲電荷消失之前，ＰＮ結(jié)仍處于正向偏置，即勢壘區(qū)仍然很窄，ＰＮ結(jié)的電阻仍很小，與電路中的負載電阻相比可以忽略，所以此時反向電流IR=（反向電壓VR＋VD）/負載電阻RL。VD表示ＰＮ結(jié)兩端的正向壓降，一般 VR>>VD，即 IR＝VR／RL。在這段期間，IR基本上保持不變，主要由VR和RL所決定。

    經(jīng)過時間ts后Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)所存儲的電荷已顯著減小，勢壘區(qū)逐漸變寬，反向電流IR逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值，經(jīng)過時間tf，二極管轉(zhuǎn)為截止。

    由上可知，二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復過程，實質(zhì)上由于電荷存儲效應引起的，反向恢復時間就是存儲電荷消失所需要的時間。