北京高壓科學研究中心的研究人員與中美科學家合作利用壓縮晶格誘發(fā)拓撲相變，在室溫下將鉻摻雜的鉛硒體系的熱電優(yōu)值提高到1.7，遠高于此前普遍認可的室溫最高值。

這一發(fā)現不僅提供了一種提高熱電優(yōu)值的新方法，也為未來熱電材料在室溫下的技術應用，特別是解決手機相關微電子器件的發(fā)熱問題帶來曙光。

相關成果10月7日在線發(fā)表于《自然—材料》。

歷史上，室溫下最高熱電優(yōu)值長期在1附近徘徊，而解決像手機這類微電子器件的發(fā)熱問題，迫切需要顯著提高室溫下的熱電優(yōu)值。

研究者選擇1%鉻摻雜的硒化鉛作為研究對象，借助金剛石對頂砧高壓裝置，通過自主研發(fā)的高壓熱電性質綜合測量系統(tǒng)，獲得了像山峰一樣的熱電優(yōu)值隨壓力變化的表現形狀。他們發(fā)現，在施加壓力作用下，熱電優(yōu)值先如爬坡般增加，到3萬大氣壓附近達到最高值1.7，而后隨著壓力的進一步增加而緩慢下降。

該項研究將熱電效應與拓撲絕緣體關聯(lián)起來，同時發(fā)現了實現拓撲絕緣態(tài)的新途徑，即采用壓縮晶格這一潔凈有效的方法。（閆潔）