為什么要RAM調(diào)試？

1. 相比于FLASH調(diào)試，在RAM調(diào)試可以很快地裝載代碼，可以節(jié)省將代碼下載到Flash的時(shí)間。

2. RAM的擦寫次數(shù)幾乎無(wú)限，RAM調(diào)試可延長(zhǎng)Flash的使用壽命。圖1

一、準(zhǔn)備（這里以STM32F103C8的LED流水燈程序?yàn)槔?

1. Keil mdk514

2. Template模板工程 LED流水燈，V3.5.0版本的固件庫(kù)

3. 示例芯片型號(hào)：STM32F103C8，芯片的BOOT引腳必須接地

 二、修改工程：打開(kāi)Keil mdk工程，修改以下設(shè)置

   1.添加一個(gè)Project target：

   如圖1左Project視圖中右鍵Template_Flash選擇Manage Project Items…出現(xiàn)工程文件管理界面。

圖1 ：左為project視圖，右為工程項(xiàng)管理界面 

   在彈出的工程文件管理界面作圖1右圖所示的設(shè)置：(1)單擊添加按鈕；(2)輸入Target名稱，如Template_RAM；(3)單擊Set as Current Target按鈕，然后按ok保存。

   這樣做的好處是：可以使用下載按鈕旁邊的下拉列表切換用于Flash下載的配置和進(jìn)行RAM調(diào)試的配置，如圖2。

圖2 ：編譯目標(biāo)選擇下拉框

   2.分配RAM和Flash空間：

     由《STM32數(shù)據(jù)手冊(cè)》得知，STM32F103C8的RAM大小為20K，根據(jù)自己索要調(diào)試的代碼分配者20K的空間；

     例如：如圖3是流水燈程序編譯后的keil輸出，流水燈程序占Flash：1352字節(jié)，占RAM：268+24+1632，那么可以將STM32F103C8的20K的RAM分10k給ROM，剩下10k作為RAM。

圖3：流水燈程序Build Output

    單擊keil工具欄中的魔術(shù)棒按鈕如圖4（Options for Target…）彈出工程選項(xiàng)窗口：

圖4 ：工程選項(xiàng)Options forTarget按鈕

     修改工程選項(xiàng)的Target標(biāo)簽的IROM和IRAM如圖5。設(shè)置IROM的Start=0x20000000，Size=0x2800（0x2800=10k）；IRAM的Start=0x20002800，Size=0x2800。

圖5 ：工程選項(xiàng)-Target標(biāo)簽設(shè)置

    為何這樣設(shè)置？

    答：下圖來(lái)自《Cortex-M3權(quán)威指南（中文）》84頁(yè)，據(jù)圖5.1知Cortex-M3內(nèi)核MCU內(nèi)部RAM起始地址為0x20000000，因?yàn)?/span>STM32F103C8的內(nèi)部RAM=20K，因此地址范圍是：0x20000000~0x20005000。這樣上述設(shè)置將10k分給的代碼區(qū)（IROM），將10k分給了數(shù)據(jù)區(qū)（IRAM）。

  3.修改中間文件和鏈接文件保存路徑：（文件路徑跟別的Target不同即可）

     如圖6，打開(kāi)選項(xiàng)的Output標(biāo)簽，將objects文件的保存路徑改為工程目錄/OBJ/RAM目錄下；同理，選項(xiàng)的Listing標(biāo)簽中，將lst文件的保存路徑改為工程目錄/LIST/RAM目錄下；

圖6:工程選項(xiàng)-Output標(biāo)簽設(shè)置

     目的是：避免二、1步中所示的不同配置的Target產(chǎn)生的中間文件和鏈接文件混淆。

   4.添加宏定義：

    在選項(xiàng)的C/C++標(biāo)簽的Preprocessor Symbols的define中添加定義：VECT_TAB_SRAM，若有別的定義，則用英文逗號(hào)隔開(kāi)。

圖7：工程選項(xiàng)-C/C++標(biāo)簽設(shè)置

   5.清除flash編程算法以及添加初始化文件：

  （1）在選項(xiàng)的BEBUG標(biāo)簽中選擇右側(cè)的仿真器如Jlink，圖8左；

圖8 ：左 工程選項(xiàng)-Debug標(biāo)簽 ；右 單擊左圖Setting彈出的仿真器設(shè)置界面

     然后單擊右邊的Settings按鈕：彈出如圖8右圖所示設(shè)置頁(yè)，選擇Flash download標(biāo)簽，設(shè)置如下：直到將Programming Algorithm中的內(nèi)容清空。選項(xiàng)的Utilities標(biāo)簽也有一個(gè)Setting按鈕，里面的設(shè)置同理。

  （2）在選項(xiàng)的BEBUG標(biāo)簽中選擇右側(cè)的仿真器選擇下方有一個(gè)Initialization File，添加Dbg_RAM.ini文件；

    說(shuō)明：Dbg_RAM.ini文件來(lái)自Keil安裝目錄\ARM\Pack\Keil\STM32F1xx_DFP\1.1.0\Boards\Keil\MCBSTM32C\Blinky\Dbg_RAM.ini，將其復(fù)制到工程目錄的USER子目錄下；不同版本Keil該文件路徑可能不同。該文件可手動(dòng)創(chuàng)建，內(nèi)容如下：

   6.最后的設(shè)置：選項(xiàng)的Utilities標(biāo)簽的 Update Target Before DeBugging項(xiàng)不能選中!

圖9：工程選項(xiàng)-Utilities標(biāo)簽

   上述設(shè)置完成后，注意單擊ok保存設(shè)置。

三、enjoy程序調(diào)試:

    重新編譯項(xiàng)目文件，單擊keil工具欄中的Bebug按鈕就可以在RAM中調(diào)試程序。

 注意：

         1.RAM調(diào)試Target不能用于下載，因此不能單擊下載按鈕；

       2.調(diào)試過(guò)程中復(fù)位后必須退出Debug再重新進(jìn)入Debug。原因是復(fù)位后程序回到了芯片flash的起始地址而非RAM起始地址。

      3.若進(jìn)入debug程序立即運(yùn)行，可先在main函數(shù)或需要的地方加好斷點(diǎn)，或者取消圖8工程選項(xiàng)-Debug標(biāo)簽所示的Run to main().選項(xiàng)  為什么是取消勾選？？不得而知。

RAM調(diào)試工程模板下載：

http://download.csdn.net/detail/weboo10000/9085393