IGBT是電路板中的基本元器件，本文就由電路板維修培訓(xùn)學(xué)校與大家介紹一下IGBT的基本結(jié)構(gòu)與原理，希望對大家進(jìn)行電路板維修工作有所幫助。

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）功率場效應(yīng)管與雙極型（PNP或NPN）管復(fù)合后的一種新型復(fù)合型器件，它綜合了場效應(yīng)管開關(guān)速度快、控制電壓低和雙極型晶體管電流大、反壓高、導(dǎo)通時(shí)壓降小等優(yōu)點(diǎn)，是目前頗受歡迎的電力電子器件。目前國外高壓IGBT模塊的電流/電壓容量已達(dá)2000A/3300V，采用了易于并聯(lián)的NPT工藝技術(shù)，第四代IGBT產(chǎn)品的飽和壓降UCE（sat）顯著降低，減少了功率損耗；美國IR公司生產(chǎn)的WrapIGBT開關(guān)速度最快，工作頻率最高可達(dá)150kHz。絕緣柵雙極型晶體管IGBT已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速控制、程控交換機(jī)電源、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不停電電源（UPS）、變頻空調(diào)器、數(shù)控機(jī)床伺服控制等。

IGBT是由MOSFET與GTR復(fù)合而成的，是由柵極G、發(fā)射極C、集電極E組成的三端口電壓控制器件，IGBT的封裝與普通雙極型大功率三極管相同，有多種封裝形式。

簡單來說，IGBT等效成一只由MOSFT驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP型三極管。N溝道IGBT簡化等效電路中RN為PNP管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻，由N溝道MOSFET和PNP型三極管復(fù)合而成，導(dǎo)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極之間驅(qū)動(dòng)電壓UGE決定。當(dāng)柵極和發(fā)射極之間驅(qū)動(dòng)電壓UGE為正且大于柵極開啟電壓UGE（th）時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道并為PNP型三極管提供基極電流，進(jìn)而使IGBT導(dǎo)通。此時(shí)，從P+區(qū)注入N-的空穴對（少數(shù)載流子）對N區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號或加反向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型三極管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。

以上便是由電路板維修培訓(xùn)學(xué)校為大家介紹的IGBT的基本結(jié)構(gòu)和原理，希望大家能夠好好理解并運(yùn)用到電路板維修工作中去。

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