摘要: 黑硅結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的陷光性能，能夠有效減少太陽能電池片表面的光學損耗，是目前光伏產(chǎn)業(yè)的重點研究項目。本文采用Ag/Cu 雙原子兩步金屬輔助化學刻蝕（MACE）工藝，通過調(diào)節(jié)Ag/Cu 摩爾比、刻蝕溫度、刻蝕時間以及H2O2 的濃度制備出了高效的單晶黑硅陷光結(jié)構(gòu)，并系統(tǒng)研究了黑硅結(jié)構(gòu)的形成機理及其對硅片表面反射率的影響規(guī)律。利用場發(fā)射掃描電鏡觀察了樣品的表面形貌，利用分光光度計測試了樣品表面的漫反射光譜。結(jié)果表明，當Ag/Cu 摩爾比為1/10，刻蝕溫度為60 ℃，刻蝕時間為30 s，H2O2 的濃度為0.6 mol/L 時，制備得到了均勻分布、密集排列的納米柱結(jié)構(gòu)，刻蝕深度約為2.09 μm，刻蝕孔徑為55~80 nm，表面的平均反射率僅為1.45%（200~1100 nm）。降低了AgNO3 的用量，節(jié)約了生成成本，又獲得了陷光性能優(yōu)異的黑硅結(jié)構(gòu)。