除了主控芯片和緩存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC（單層單元）和MLC（多層單元）NAND閃存：
1.SLC全稱是單層式儲存 (Single Level Cell），因為結(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅(qū)動，所以
英特爾固態(tài)硬盤(15張)
其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的Flash閃存芯片。
2.MLC全稱是多層式儲存（Multi Leveled Cell），它采用較高的電壓驅(qū)動，通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應用最為廣泛的MLC NAND閃存，其最大的特點就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本，從而可以獲得進入更多終端領域的契機。不過，MLC的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次。
3.TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三層存儲單元，因此可以以較低的成本實現(xiàn)更大的容量。具體來講，SLC只有兩個電平狀態(tài)，MLC則為4個，TLC則多達8個，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此價格也便宜了33%。當然良品率等因素也會對價格產(chǎn)生影響。
由于TLC擁有多達8個電平狀態(tài)，因此在電位控制上更加復雜，特別是寫入速度會大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態(tài)，電子一旦溢出變會非常容易導致出錯，難以控制，這就是為什么需要更強ECC糾錯能力的原因，否則TLC閃存的壽命將會不堪一擊。