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針對(duì)有關(guān)固態(tài)硬盤(pán)的這些疑慮，我們接下來(lái)一一闡述。

固態(tài)硬盤(pán)讀寫(xiě)速度快的原理是什么？

我們先來(lái)回顧一下普通的機(jī)械硬盤(pán)是如何工作的。機(jī)械硬盤(pán)的讀寫(xiě)過(guò)程需要磁頭在其他機(jī)械零件的精密配合下進(jìn)行尋道找到磁盤(pán)上數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的位置。也就是說(shuō)機(jī)械硬盤(pán)的讀寫(xiě)過(guò)程依靠的是物理機(jī)械的運(yùn)作。而固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)過(guò)程，是在主控的指揮下，通過(guò)電學(xué)信號(hào)的傳輸完成對(duì)閃存芯片(如下圖是NAND閃存的基本單元)的讀寫(xiě)操作。所以，固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)過(guò)程依靠的是電學(xué)信號(hào)。電學(xué)信號(hào)比物理機(jī)械的運(yùn)作快多了，這就是固態(tài)硬盤(pán)硬盤(pán)讀寫(xiě)快的本質(zhì)原因。

我們這里再說(shuō)一組數(shù)據(jù)，現(xiàn)在固態(tài)硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間一般都在0.1ms以下，而機(jī)械硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間一般在10ms以上。數(shù)據(jù)一出，差距立判。

是不是顆粒越多讀寫(xiě)性能和壽命越好？

的確是這樣，固態(tài)硬盤(pán)容量越大，內(nèi)部的顆粒就越多，讀寫(xiě)性能越好，壽命就越長(zhǎng)。不過(guò)，容量越大，對(duì)讀取速度的影響不是很大，對(duì)寫(xiě)入速度影響比較大，比如下圖是某款固態(tài)硬盤(pán)的不同容量的對(duì)比數(shù)據(jù)：

那是為什么呢？要解答這個(gè)疑問(wèn)，我們需要了解一下固態(tài)硬盤(pán)中主控和NAND閃存之間的工作模式。如下圖是固態(tài)硬盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖，我們可以看到，固態(tài)硬盤(pán)主控和NAND閃存之間的溝通需要有一個(gè)“橋梁”，這個(gè)“橋梁”的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)叫做通道(Channel)。每個(gè)通道內(nèi)也會(huì)有多個(gè)NAND閃存顆粒并行，如下圖中是4個(gè)通道，每個(gè)通道放8個(gè)NAND顆粒，也就是總共有32顆NAND芯片。

每個(gè)通道中的NAND芯片不可能同時(shí)進(jìn)行寫(xiě)入操作，那怎么辦呢？好辦，就這樣做：由于NAND寫(xiě)入過(guò)程有一段延遲，讓不同的NAND芯片行成一個(gè)操作梯度(如下圖)，這里專(zhuān)業(yè)名詞叫做Interleave。好處就是充分降低寫(xiě)入延遲，提升寫(xiě)入速度。

執(zhí)行Interleave操作的NAND顆粒越多，對(duì)固態(tài)硬盤(pán)的性能提升效果越明顯，如下圖測(cè)試數(shù)據(jù)。假設(shè)每頁(yè)寫(xiě)入時(shí)間是100us, 4顆NAND閃存芯片的寫(xiě)入速度是1顆NAND閃存芯片的4倍。

固態(tài)硬盤(pán)和U盤(pán)中閃存的區(qū)別？

雖然固態(tài)硬盤(pán)和U盤(pán)中實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的介質(zhì)都是NAND閃存，為啥不一樣呢？其實(shí)，本質(zhì)上是一樣的，都是NAND閃存。但是二者之間最大的區(qū)別就是質(zhì)量問(wèn)題。固態(tài)硬盤(pán)中采用的NAND閃存一般都是高質(zhì)量的NAND等級(jí)。而U盤(pán)中采用的NAND閃存很多都是固態(tài)硬盤(pán)中NAND閃存篩選之后的顆粒。也就說(shuō)，U盤(pán)中的NAND閃存通常要比固態(tài)硬盤(pán)中的NAND閃存低一個(gè)級(jí)別，甚至更低。

結(jié)語(yǔ)

本文我們針對(duì)題目中的三個(gè)疑問(wèn)作出了闡述，你有收獲嗎？如果有的話，勞煩點(diǎn)個(gè)贊，留個(gè)言哦~

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