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材料工藝 單晶硅與多晶硅的晶體生長(zhǎng)工藝不同，單晶硅的晶面取向相同、無晶界，品質(zhì)優(yōu)異，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁雜、位錯(cuò)密布，晶格缺陷增多。也決定了兩種材料在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機(jī)械性能方面與單晶相比有顯著差異。 市場(chǎng)占有率 市場(chǎng)占有率是產(chǎn)品市場(chǎng)需求最直觀的指標(biāo)，也直接反映了各大廠商的在組件上的實(shí)際選擇。 3種類型光伏組件出貨量對(duì)比 3種類型組件市場(chǎng)占有率對(duì)比 從上面兩組數(shù)據(jù)對(duì)比可以看出， 1、多晶硅光伏組件無論從出貨量還是市場(chǎng)占有率均屬于最高，且總體呈現(xiàn)上升狀態(tài) 2、單晶硅光伏組件的市場(chǎng)占有率總體呈現(xiàn)下降趨勢(shì)； 3、薄膜光伏組件在出貨量和市場(chǎng)占有率角度來看，與單晶和多晶尚存一定差距。 組件衰減率 衰減主要有初始光致衰減和老化衰減。另外，PID電勢(shì)能誘導(dǎo)衰減今年也獲得認(rèn)同。 結(jié)合相關(guān)文獻(xiàn)對(duì)衰減率進(jìn)行分析匯總得到如下結(jié)果 初始光致衰減：?jiǎn)尉г?.5~3%，多晶在0.5~2%；單晶會(huì)比多晶多衰減0.5~1%。 老化衰減：?jiǎn)尉p低于多晶，但生產(chǎn)工藝（品牌）、封裝材料老化、應(yīng)用地環(huán)境的影響程度，可能會(huì)高與電池老化本身。 PID電勢(shì)能誘導(dǎo)衰減：主要受所在地的溫度、濕度和光伏組件兩端電壓的影響。 目前的單晶電池以P型為主，這種電池在日照2-3周后會(huì)發(fā)生2%~3%的快速功率衰減，原因是晶體生長(zhǎng)中使用硼作為摻雜劑，同時(shí)有較多的氧原子混雜，替位硼和間隙氧在光照下激發(fā)形成較深能級(jí)缺陷，引起載流子復(fù)合和電池性能衰退。但是，這種衰退在退火作用下是可以恢復(fù)的。太陽(yáng)能電池的功率在4個(gè)月或更長(zhǎng)時(shí)間（取決于日照強(qiáng)度和時(shí)間）內(nèi)會(huì)發(fā)生恢復(fù)，到1年后，累計(jì)衰減大約是2.5%~3%，并趨于穩(wěn)定。 多晶電池不存在上述問題，但是由于本身無法克服的高雜質(zhì)濃度和位錯(cuò)缺陷的影響，在日照下電池性能會(huì)持續(xù)衰退到3%左右，并且不會(huì)出現(xiàn)恢復(fù)現(xiàn)象。 溫度系數(shù) 除了衰減率之外，溫度系數(shù)也是影響發(fā)電量的因素之一。單晶和多晶不同廠家不用類型的溫度系數(shù)均不一樣，我們簡(jiǎn)單整理了一下現(xiàn)有組件，得到數(shù)據(jù)如下。 不同品牌、類型組件的溫度系數(shù)（%/℃） 可以看出： 1、部分該品牌有高效品牌，其溫度系數(shù)一般會(huì)低于普通組件。 2、不同品牌的溫度系數(shù)有一定的差異。僅就8個(gè)品牌的普通組件而言，變化區(qū)間在-0.39~0.44%/℃之間。 3、相同品牌的普通組件，溫度系數(shù)基本相同。 成本與效率 目前市面電池中最高效率為N型單晶電池25.6%，P型多晶電池最高效率為天合的22.13%。金剛線切多晶的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以將多晶硅片成本在現(xiàn)在的基礎(chǔ)上再降低15%，配合黑硅表面制絨工藝，通過特殊的表面陷光處理，可以讓多晶產(chǎn)品具有更高的光學(xué)利用率。再加上PERC背面鈍化技術(shù)，多晶的轉(zhuǎn)換效率還將進(jìn)一步提升，性價(jià)比優(yōu)勢(shì)將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大。從目前來看多晶硅依然是光伏市場(chǎng)的第一選擇。單晶硅與多晶硅如果低于0.6元/片的差價(jià)，單晶產(chǎn)品才有性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，單晶硅的市場(chǎng)前景被各大廠商看好。 從上面幾個(gè)角度來看，單晶與多晶的競(jìng)爭(zhēng)依然劇烈，其差距也越來越近，但就分布式光伏系統(tǒng)而言，光伏組件僅是其中的一個(gè)構(gòu)件，選擇可靠品牌的組件，按照科學(xué)合理的設(shè)計(jì)進(jìn)行安裝，保障系統(tǒng)具有足夠的使用壽命及發(fā)電量才是企業(yè)專注于服務(wù)的目標(biāo)。 來源：亞坦新能 |
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