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TIO, TI ,這些原材料氧—鈦原子的模擬比率分別為:2.0, 1.67, 1.5, 1.0, 0. 后發(fā)現(xiàn)比率為1.67的材料比較穩(wěn)定并且大約在550nm生成一個重復(fù)性折射率為2.21的堅(jiān)固的膜層,比率為2的材料第一層產(chǎn)生一個大約2.06的折射率,后面的膜層折射率接近于2.21.比率為1.0的材料需要7個膜層將折射率2.38降到2.21.這幾種膜料都無吸收性,幾乎每一個TIO2蒸著遵循一個原則:在可使用的光譜區(qū)內(nèi)取得可以忽略的吸收性,這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制.TIO2需要使用IAD助鍍,氧氣輸入口在擋板下面. | | TI3O5比其它類型的氧化物貴一些,可是很多人認(rèn)為這種材料不穩(wěn)定性的風(fēng)險要小一些,PULKER等人指出,最后的折射率與無吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的,基板溫度高則得到高的折射率.例如,基板板溫度為400℃時在550納米波長得到的折射率為2.63,可是由于別的原因,高溫蒸著通常是不受歡迎的,而離子助鍍已成為一個普遍采用的方法其在低溫甚至在室溫時就可以得到比較高的折射,通常需要提供足夠的氧氣以避免(因?yàn)橛形談t降低透過率),但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值(LDT).TIO2的折射率與真空度和蒸發(fā)速度有很大的關(guān)系,但是經(jīng)過充分預(yù)熔和IAD助鍍可以解決這一難題,所以在可見光和近紅外線光譜中,TIO2很受到人們的歡迎. | | 在IAD助鍍TIO2時,使用屏蔽柵式離子源蒸發(fā)則需要200EV,而用無屏蔽柵式離子源蒸發(fā)時則需要333EV或者更少一些,在那里平均能量估計(jì)大約是驅(qū)動電壓的60%,如果離子能量超過以上數(shù)值,TIO2將有吸收.而SIO2有電子槍蒸發(fā)可以提供600EV碰撞(離子輻射)能量而沒有什么不良效應(yīng). | | TIO2/SIO2制程中都使用300EV的驅(qū)動電壓,目的是在兩種材料中都使用無柵極離子源,這樣避免每一層都改變驅(qū)動電壓,驅(qū)動電壓高低的選擇取決于TIO2所允許的范圍,而蒸著速度的高低取決于完全致密且無吸收膜所允許之范圍. | | TIO2用于防反膜,分光膜,冷光膜,濾光片,高反膜,眼鏡膜,熱反射鏡等,黑色顆粒狀和白色片狀,熔點(diǎn):1175℃ | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 400--12000 | 2.35 | 2000-2200 | 電子槍, | 防反膜，增透 | 多 | | | | TIO2用于防反膜, 裝飾膜, 濾光片, 高反膜 | | TI2O3用于防反膜 濾光片 高反膜 眼鏡膜 | | | | 名稱:氟化釷（ThF4） | | 260—12000nm以上的光譜區(qū)域，是一種優(yōu)秀的低折射率材料，然而存在放射性，在可視光譜區(qū)N從 1.52降到1.38(1000nm區(qū)域)在短波長趨近于1.6,蒸發(fā)溫度比MGF2低一些,通常使用帶有凹罩的舟皿以免THF4良性顆?；鹦秋w濺出去,而且形成的薄膜似乎比MGF2薄膜更加堅(jiān)固.該膜在IR光譜區(qū)300NM小水帶幾乎沒有吸收,這意味著有望得到一個低的光譜移位以及更大的整體堅(jiān)固性,在8000到12000NM完全沒有材料可以替代. | | | | 名稱: 二氧化硅(SIO2) | | 經(jīng)驗(yàn)告訴我們,,氧離子助鍍(IAD)SIO將是SIO2薄膜可再現(xiàn)性問題的一個解決方法,并且能在生產(chǎn)環(huán)境中以一個可以接受的高速度蒸著薄膜. | | SIO2薄膜如果壓力過大,薄膜將有氣孔并且易碎,相反壓力過低薄膜將有吸收并且折射率變大,,需要充分提供高能離子或氧離子以便得到合乎需要的速度和特性,必要是需要氧氣和氬氣混合充氣,但是這是熱鍍的情況,冷鍍時這種性況不存在. | | SIO2用于防反膜,冷光膜,濾光片,絕緣膜,眼鏡膜,紫外膜. | | | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 200--2000 | 1.46 | 1800-2200 | 電子槍, | 防反膜，增透 | 少,升華 | | | | 無色顆粒狀,折射率穩(wěn)定,放氣量少,和OS-10等高折射率材料組合制備截止膜,濾光片等. | | | | 名稱: 一氧化硅(SIO) | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 600--8000 | 1.55at550nm | 1200-1600 | 電子槍, | 冷光膜 | ,升華 | | | | 1.8at1000nm | 鉭鉬舟 | 裝飾膜 | | | | 1.6at7000nm | | 保護(hù)膜 | | | | 制程特性:棕褐色粉狀或細(xì)塊狀. | | 熔點(diǎn)較低,可用鉬舟或鈦舟蒸發(fā),但需要加蓋舟因?yàn)榇朔N材料受熱直接升華. | | 使用電子槍加熱時不能將電子束直接打在材料上而采用間接加熱法. | | 制備塑料鏡片時,一般第一層是SIO,可以增加膜的附著力. | | | | 名稱:OH-5(TIO2+ZrO2) | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 300--8000 | 2.1 | 約2400 | 電子槍, | 增透 | 一般 | | | | | | | 蒸氣成分為:ZRO,O2,TIO,TIO2 | | 呈褐色塊狀或柱狀 | | 尼康公司開發(fā)之專門加TS--ェート系列抗反射材料,折射率受真空度,蒸發(fā)速率,氧氣壓力的影響很大,蒸鍍時不加氧或加氧不充分時,制備薄膜會產(chǎn)生吸收現(xiàn)象,但是我們在實(shí)際應(yīng)用時沒有加氧也比較好用. | | 名稱:二氧化鎬(ZrO2) | | ZrO2具有堅(jiān)硬,結(jié)實(shí)及不均勻之特性,該薄膜有是需要烘干以便除去它的吸收,其材料的純度及為重要,純度不夠薄膜通常缺乏整體致密性,它得益于適當(dāng)使用IAD來增大它的折射率到疏松值以便克服它的不均勻性.目前純度達(dá)到99.99%基本上解決了以上的問題.SAINTY等人成功地使用ZRO2作為鋁膜和銀膜的保護(hù)膜,該膜層(指ZRO2)是在室溫基板上使用700EV氬離子助鍍而得到的.一般為白色柱狀或塊狀,蒸發(fā)分子為ZRO,O2. | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 320-7000 | 2.05 | 約2500 | 電子槍, | 增透,加硬膜 | 一般 | | | | 2.0AT2000 | 眼鏡膜保護(hù)膜 | | | | 制程特性:白色顆粒,柱狀,或塊狀,粉狀材料使用鎢舟或鉬舟.顆粒狀,粉狀材料排雜氣量較多,柱狀或塊狀較少. | | 真空度小于2*10-5Torr條件下蒸發(fā)可得到較穩(wěn)定的折射率，真空度大于5*10-5Torr時蒸發(fā)，薄膜折射率逐漸變小。 | | 蒸鍍時加入一定壓力的氧氣可以改善其材料之不均勻性。 | | | | 名稱:氟化鎂（MgF2） | | MGF2作為1/4波厚抗反射膜普遍使用來作玻璃光學(xué)薄膜，它難以或者相對難以溶解，而且有大約120NM真實(shí)紫外線到大約7000nm的中部紅外線區(qū)域里透過性能良好。OLSEN，MCBRIDE等人指出從至少200NM到6000NM的區(qū)域里，2.75MM厚的單晶體MGF2是透明的,接著波長越長吸收性開始增大,在10000NM透過率降到大約2%,雖然在8000—12000NM區(qū)域作為厚膜具有較大的吸收性,但是可以在其頂部合用一薄膜作為保護(hù)層. | | 不使用IAD助鍍,其膜的硬度,耐久性及密度隨基板的溫度的改變而改變的.在室溫中蒸鍍,MGF2膜層通常被手指擦傷,具有比較高的濕度變化.在真空中大約N=1.32,堆積密度82%,使用300（℃）蒸鍍,其堆積密度將達(dá)到98%,N=1.39它的膜層能通過消除裝置的擦傷測試并且溫度變化低,在室溫與300（℃）之間,折射率與密度的變化幾乎成正比例的. | | 在玻璃上冷鍍MGF2加以IAD助鍍可以得到300（℃）同等的薄膜,但是125—150EV能量蒸鍍可是最適合的.在塑料上使用IAD蒸鍍幾乎強(qiáng)制獲得合理的附著力與硬度.經(jīng)驗(yàn)是MGF2不能與離子碰撞過于劇烈. | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 2000-7000 | 1.38 | 約1100 | 電子槍, | 增透,加硬膜 | 少,MGF2 | | | | 1.35AT200 | 鉬鉭鎢舟 | 眼鏡膜 | (MGF2)2 | | | | 制程特性:折射率穩(wěn)定,真空度和速率對其變化影響小 | | 預(yù)熔不充分或蒸發(fā)電流過大易產(chǎn)生飛濺,造成鏡片”木”不良.在打開檔板后蒸發(fā)電流不要隨意加減,易飛濺.基片須加熱到高的張應(yīng)力 | | 白色顆粒狀,常用于抗反射膜,易吸潮.購買時應(yīng)考慮其純度. | | | | 名稱:三氧化二鋁(AL2O3) | | 普遍用于中間材料,該材料有很好的堆積密度并且在200—7000NM區(qū)域的透明帶,該制程是否需要加氧氣以試驗(yàn)分析來確定,提高基板溫度可提高其折射率,在鍍膜程式不可理更改情況下,以調(diào)整蒸發(fā)速率和真空度來提高其折射率. | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 200-7000 | 1.63 | 2050 | 電子槍, | 增透,保護(hù)膜 | 一般,AL,O, | | | | 眼鏡膜 | O2,ALO,AL2O,(ALO)2 | | | | 制程特性:白色顆粒狀或塊狀,結(jié)晶顆粒狀等. | | 非結(jié)晶狀材料雜氣排放量高,結(jié)晶狀材料相對較少. | | 折射率受蒸著真空度和蒸發(fā)速率影響較大,真空不好即速率低則膜折射率變低;真空度好蒸發(fā)速率較快時,膜折射率相對增大,接近1.62 | | AL2O3蒸發(fā)時會產(chǎn)生少量的AL分子造成膜吸收現(xiàn)象,加入適當(dāng)?shù)?/span>O2時,可避免其吸收產(chǎn)生.但是加氧氣要注意不要影響到它的蒸發(fā)速率否則改變了它的折射率. | | | | 名稱:OS-10(TIO2+ZrO2) | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 250-7000 | 2.3 | 2050 | 電子槍, | 增透,濾光片,截止膜 | 一般, | | | | | | | 制程特性:棕褐色顆粒狀. | | 雜氣排放較大,預(yù)熔不充分或真空度小于5*10-5Torr時蒸發(fā),其折射率會比2.3小,幫必須充分預(yù)熔且蒸發(fā)真空度希望大于上述這數(shù)值.蒸發(fā)此種材料時宜控制衡定的蒸發(fā)速率,材料可添加重復(fù)使用,為減少雜氣排放量,盡量避免全數(shù)使用新材料. | | 蒸氣中的TI和TIO和O2反應(yīng)生成TIO2 | | 常用于制備抗反射膜和SIO2疊加制備各種規(guī)格的截止膜系和濾光片等. | | | | 名稱:鍺(Ge) | | 稀有金屬,無毒無放射性,主要用于半導(dǎo)體工業(yè),塑料工業(yè),紅外光學(xué)器件,航天工業(yè),光纖通訊等.透光范圍2000NM---14000NM,n=4甚至更大,937（℃）時熔化并且在電子槍中形成一種液體,然后在1400（℃）輕易蒸發(fā).用電子槍蒸發(fā)時它的密度比整體堆積密度低,而用離子助鍍或者鐳射蒸鍍可以得到接近于松散密度.在鍺基板上與THF4制備幾十層的8000---12000NM帶通濾光片,如果容室溫度太高吸收將有重大變化,在240--280（℃）范圍內(nèi),在從非晶體到晶體轉(zhuǎn)變的過程中GE有一個臨界點(diǎn). | | | | 名稱:鍺化鋅(ZnGe) | | 疏散的鍺化鋅具有一個比其相對較高的折射率,在500NM時N=2.6,在可見光譜區(qū)以及12000—14000NM區(qū)域具有較少的吸收性并且疏散的鍺化鋅沒有其材質(zhì)那么硬.使用鉭舟將其蒸發(fā)到150攝氏度的基板上制備SI/ZnGe及ZnGe/LaF3膜層試圖獲到長波長IR漸低折射率的光學(xué)濾鏡. | | | | 名稱:氧化鉿(HfO2) | | 在150攝氏度的基板上有用電子槍蒸著,折射率在2.0左右,用氧離子助鍍可能取和得2.05—2.1穩(wěn)定的折射率,在8000—12000NM區(qū)HFO2用作鋁保護(hù)膜外層好過SIO2 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 550nm | | | | 230-7000 | 2 | 2350 | 電子槍, | 增透,高反膜 | 少 | | | | 紫外膜 | | | | 無色圓盤狀或灰色顆粒狀和片狀. | | | | 名稱:碲化鉛（PbTe） | | 是一種具有高折射率的IR材料，作為薄膜材料在3800---40000NM是透明的，在紅外區(qū)N=5.1—5.5，該材料升華,基板板溫度250攝氏度是有益的,健康預(yù)防是必要的,在高達(dá)40000NM時使用效果很好,別的材料常常用在超過普通的14000NM紅外線邊緣. | | | | 名稱:鋁氟化物（ALF3） | | 可以在鉬中升華，在190—1000NM區(qū)域有透過性，N=1.38,有些人聲稱已用在EXIMER激光鏡,它無吸收性,在250—1000NM區(qū)域透過性良好.ALF3是冰晶石,是NaALF4的一個組成部分,且多年來一直在使用,但是在未加以保護(hù)層時其耐久性還未為人知. | | | | 名稱:鈰(Ce)氟化物 | | Hass等人研究GeF3，他們使用高密度的鎢舟蒸發(fā)發(fā)現(xiàn)在500NM時N=1.63,并且機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)強(qiáng)度令人滿意,他們指出在234NM和248NM的吸收最大,而在波長大過300NM時吸收可以忽略.FUJIWARA用鉬舟蒸發(fā)CEF3和CEO2混合物,得到一個1.60---2.13的合乎需要的具有合理重復(fù)性的折射率,他指出該材料的機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)強(qiáng)度都令人滿意. | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 300-5000 | 1.63 | 約1500 | 電子槍, | 增透, | 少 | | | | 鉬鉭鎢舟 | 眼鏡 | | | | | | 名稱:氟化鈣(CaF2) | | CaF2是Heavens提出來的，它可以在10-4以上的壓力下蒸發(fā)獲得一個約為1。23---1。28的折射率。可是他說最終的膜層不那么令人滿意，在室溫下蒸著氟化鈣其堆積密度大約為0.57,這與Ennos給出的疏散折射率1.435相吻合,這說明該材料不耐用并容易隨溫度變化而變化.原有的高拉應(yīng)力隨膜厚增大而降低,膜厚增大導(dǎo)致大量的可見光散射.可以用鎢鉭舟鉬舟蒸發(fā)而且會升華,在紅外線中其穿透性超過12000nm,它沒有完全的致密性似乎是目前其利用受到限制的原因,隨著IAD蒸著氟化物條件的改善這種材料的使用前景更為廣闊. | | | | 名稱:氟化鋇(BaF2) | | 與氟化鈣具有相似的物理特性,在室溫下蒸鍍氟化鋇,使用較低的蒸著速度時材料的堆積密度為0.66,并且密度變化與蒸著速度增大幾乎成正比,在速度為20NM/S堆積密度高達(dá)0.83,它的局限性又是它缺乏完全致密性.透過性在高溫時移到更長的波長,所以目前它只能用在紅外膜. | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 250-15000 | 1.48 | 約1500 | 電子槍, | 紅外膜 | 少 | | | | 鉬鉭鎢舟 | | | | | | 名稱:氟化鉛(PbF2) | | 氟化鉛在UV中可用作高折射率材料,在300nm時N=1.998,該材料與鉬鉭,鎢舟接觸時折射率將降低,因此需要用鉑或陶瓷皿.Ennos指出氟化鉛具有相對較低的應(yīng)力,開始是壓力,隨著膜厚度的增加張力明顯增大,但這與蒸著速度無關(guān). | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 250-17000 | 1.75 | 700--1000 | 電子槍, | 紅外膜 | 少 | | | | 鉑舟,坩鍋 | | | | | | 名稱:鉻(Cr) | | 鉻有時用在分光鏡上并且通常用作”膠質(zhì)層”來增強(qiáng)附著力,膠質(zhì)層可能在5—50NM的范圍內(nèi),但在鋁鏡膜導(dǎo)下面,30NM是增強(qiáng)附著力的有效值.顆粒狀可用鎢舟蒸發(fā)而塊狀宜用電子槍來蒸發(fā),該材料升華,但是表面氧化物可以防止它蒸發(fā)/升華,可以全用鉻電鍍鎢絲.可以用鉻作為膠質(zhì)層對金鏡化合物進(jìn)行韌性處理,也可在塑料上使用鉻作為膠質(zhì)層.也可使用一個螺旋狀的鎢絲蒸發(fā).它應(yīng)該是所有材料中具有最高拉應(yīng)力的材料. | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | | 1.5 | 1300--1400 | 電子槍, | 吸收膜分光膜導(dǎo)電膜加硬膜 | | | | | 鉑舟,鎢舟 | | | | | | 名稱:鋁(AL) | | 不管是裝飾膜還是專業(yè)膜都是普遍用于蒸發(fā)/濺鍍鏡膜,常用鎢絲來蒸發(fā)鋁絲,在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種,在紅外域中不用Cu, Ag, Au.鋁原先有一個比較高的拉應(yīng)力,在不透明厚度時,該拉應(yīng)力降低到一個小的壓應(yīng)力,并且蒸著以后拉應(yīng)力進(jìn)一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上. | | | | 名稱:銀(Ag) | | 如果蒸著速度足夠快并且基板溫度不很高時,銀和鋁一樣具有良好的反射性,這是在高速低溫下大量集結(jié)的結(jié)果,這一集結(jié)同時導(dǎo)致更大的吸收.銀通常不浸濕鎢絲,但是往往形成具有高表面張力的液滴,它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來蒸發(fā),從而避免液滴下掉.有人先在一個V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲,銀絲可以浸濕鉑絲但沒有浸濕鎢絲. | | | | 名稱:金(Au) | | 金在紅外線1000nm波長以上是已知材料中具有最高反射性的材料,作為一種貴重金屬,它具有較強(qiáng)的化學(xué)堅(jiān)硬性,由于它的可塑性因而抗擦傷性能低,AU可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來蒸發(fā)(不能與鉑舟蒸發(fā),它與鉑很快合金).金對玻璃表面的附著力低,因而通常使用一層鉻作為膠質(zhì)層.也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善,在不透明性達(dá)到即中止IAD,并且最后的薄膜中不含有氧,摻氧將降低薄膜的反射率. | | | | 名稱:銦---錫氧化物和導(dǎo)電材料 | | 銦—錫氧化物(ITO)和In3O5—SnO2有相對良好的導(dǎo)電性能和可見光穿性.這樣的薄膜在數(shù)據(jù)顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建筑上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化溫度約1450攝氏度. | | | | 名稱:H1 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 360--7000 | 2.1 | 2200-2400 | 電子槍, | 增透,眼鏡膜 | 少 | | | | | | 名稱:H2 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 400-5000 | 2.1 | 2200 | 電子槍, | 增透,眼鏡膜 | 少 | | | | | | 名稱:H4 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 360--7000 | 2.1 | 2200-2400 | 電子槍, | 增透,眼鏡膜濾光片 | 少 | | | | | | 名稱:M1 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 300--9000 | 1.7 | 2200-2400 | 電子槍, | 增透,偏光膜 | 少 | | | | | | 名稱:M2 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 210--10000 | 1.7 | 2100 | 電子槍, | 增透,偏光膜分光膜 | 少 | | | | | | 名稱:M3 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 220--10000 | 1.8 | 2100 | 電子槍, | 增透,偏光膜 | 少 | | | | | | 名稱:H5 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 210--10000 | 2.2 | 2100 | 電子槍, | 增透,濾光片 | 少 | | | | | | 名稱:氧化鉭(Ta2O5) | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 400--000 | 2.1 | 1900--2200 | 電子槍, | 增透,干涉濾光片 | 少 | | | | | | 名稱:WR--1 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 380--700 | 約1.5 | 360--450 | 鉬舟, | 頂層膜眼鏡膜 | 少 | | | | | | 名稱:WR--2 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 380--700 | 約1.5 | 360--450 | 電子槍,鉬舟 | 頂層膜防水膜眼鏡膜 | 少 | | | | 名稱:WR--3 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 380--700 | 約1.3 | 350--500 | 鉬舟 | 頂層膜保護(hù)膜眼鏡膜 | 少 | | | | | | 名稱:L--5 | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 300--7000 | 1.48 | 約2000 | 電子槍, | 增透,眼鏡膜 | 少 | | | | | | 名稱:錐冰晶石(Na5AL3F14) | | 透光范圍(nm) | 折射率(N) | 蒸發(fā)溫度（℃） | 蒸發(fā)源 | 應(yīng)用 | 雜氣排放量 | | | | 500nm | | | | 250--14000 | 約1.33 | 800--1200 | 鉬舟鉭舟 | 濾光片，紫外膜 | 少 | | | | 冰晶石（Na3ALF6） | | | | 默克公司研制的一系列的混合膜料 | | H1 高折射率：2.1---2.15 適用于防反膜和眼鏡膜 | | H2 高折射率: 2.1—2.15 適用于防反膜和眼鏡膜 | | H4 高折射率: 2.1—2.15 適用于防反膜和濾光片膜眼鏡膜 | | M1 中折射率: 1.65—1.7 適用于防反膜和偏光膜 | | H1,H2,H4可用作來生產(chǎn)高折射率的膜層,在250攝氏度的基底上,2.1—2.15的折射率共有同次性.M1可用來生產(chǎn)中折射率的膜層.H1,H4和M1也能鍍在未加熱的基底上,折射率會下降. | | | 2, H1在可見光到紫外波段內(nèi)有相當(dāng)高的透過率,在360NM左右有吸收,同ZRO2一樣無法從溶解狀態(tài)下被蒸發(fā)較為均勻的膜層. | | | | 3 H2在可見光波段內(nèi)有很高的透過率,但在380NM時有截止吸收,這意味著鍍膜條件不理想時1/2光學(xué)厚度的存在吸收.H2優(yōu)點(diǎn)在于它能從溶解狀態(tài)下被蒸發(fā),因此有良好的同次性和均勻的膜厚. | | | | 4, H4在可見光波段內(nèi)有很高的透過率,象H1 一樣在360NM左右有吸收,它也能從溶解狀態(tài)下被子蒸發(fā),具有良好的同次性. | | | | 5. M1在從近紅外到近紫外的波段內(nèi)有很好的透過率, 300NM時有吸收,它也能從溶解的狀態(tài)下被子蒸發(fā),具有良好的同次性和物質(zhì),適合于是高折射率的基底上鍍增透膜. | | | | 在塑料基底上鍍膜因?yàn)闊o法加熱基底,所以在膜料的選擇上倍加小心,以確保它能在低溫下形成穩(wěn)定膜層,由于溫度偏低折射率也隨之降低,相應(yīng)的膜層設(shè)計(jì)也應(yīng)改變. | | | | MGF2不能在低溫下被子蒸鍍,因?yàn)橹挥?/span>200攝氏度以上溫度時它才能形成穩(wěn)定的薄膜,因此只能選擇氧化物來蒸鍍,有些人用IAD助鍍強(qiáng)制性得到一個近乎堅(jiān)固的膜 | | | | 部分膜料在塑料基底上的折射率: | | SiO2 | AL2O3 | M1 | Y2O3 | ZrO2 | H1 | H4 | TIO2 | | 1.45 | 1.62 | 1.65 | 1.8 | 1.9 | 1.95 | 1.95 | 1.9--2 | | H2不能在低溫下被蒸鍍，因?yàn)樗谒{(lán)光波段有吸收。 | | M1， H4， SIO2可以組成經(jīng)典的AR膜系 | | 最常用的塑料基底是： | | CR—39： N=1.5 | | PMMA: N=1.48—1.5 | | 聚碳酸脂: N=1.59 |
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