第三十一講 隨機存取存儲器

9.3 隨機存取存儲器
9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

9.3.2 RAM的存儲單元
一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元電路
1．存儲單元
2．列選擇線Y和讀／寫控制電路
二、動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路

9.3.3 集成隨機存儲器2114A、2116介紹
一、集成靜態(tài)存儲器2114A
二、集成動態(tài)存儲器2116

9.3.4 RAM的擴展
一、RAM的位擴展
二、RAM的字擴展
三、RAM的字、位擴展

9.3 隨機存取存儲器
9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
優(yōu)點：讀寫方便，使用靈活。
缺點：掉電丟失信息。

一、 RAM的結(jié)構(gòu)和讀寫原理

9.3.2 RAM的存儲單元
一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元電路

1．存儲單元
存儲單元由V1～V6組成。兩個穩(wěn)定狀態(tài)，分別存儲數(shù)據(jù)1和0。
2．列選擇線Y和讀／寫控制電路
圖中V5、 V6為受列選擇線Y控制的門控管，G4、G5和三態(tài)門G1～G3構(gòu)成讀／寫控制電路。
當列選擇線為低電子0時，V7、V8均截止，封鎖了存儲單元位線與輸入/輸出端的通路，使存儲單元的數(shù)據(jù)不能讀出，也不能被外信號改寫。當列選線為高電平1時，V7、V8導(dǎo)通，對存儲單元可進行讀/寫操作，由讀/寫控制電路和的狀態(tài)控制
二、動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路
動態(tài)存儲單元是由MOS管的柵極電容C和門控管組成的。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲在柵極電容上，電容上的電壓高表示存儲數(shù)據(jù)1；電容沒有儲存電荷，電壓為0，表明存儲數(shù)據(jù)0。因存在漏電，使電容存儲的信息不能長久保持，為防止信息丟失，就必須定時地給電容補充電荷，這種操作稱為“刷新”，由于要不斷地刷新，所以稱為動態(tài)存儲。
包括4管MOS動態(tài)存儲單元電路和單管MOS動態(tài)存儲單元等

9.3.3 集成隨機存儲器2114A、2116介紹
采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint
一、集成靜態(tài)存儲器2114A

Intel2114A是單片1 K×4位（即有1 K個字，每個字4位）的靜態(tài)存儲器（SRAM），它是雙列直插18腳封裝器件，采用5V供電，與TTL電平完全兼容。

二、集成動態(tài)存儲器2116

Intel 2116單片16 K×1位動態(tài)存儲器（DRAM），是典型的單管動態(tài)存儲芯片。它是雙列直插16腳封裝器件，采用+12V和 5V三組電源供電，其邏輯電平與TTL兼容。

9.3.4 RAM的擴展 （采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint并進行討論。）
當單片RAM不能滿足存儲容量的要求時，這時可把多個單片RAM進行組合，擴展成大容量存儲器。
一、RAM的位擴展

二、RAM的字擴展
字擴展就是把幾片相同RAM的數(shù)據(jù)線并接在一起作為共用輸入輸出端（即位不變），讀/寫控制線也接在一起，把地址線加以擴展，用擴展的地址線去控制各片RAM的片選線 。

三、RAM的字、位擴展
當RAM的位線和字線都需要擴展時，一般是先進行位擴展，然后再進行字擴展。