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我看別人的電路中，驅(qū)動(dòng)MOS管，都用了個(gè)8腳的芯片。IR2103之類的。 起啥作用？ 我想驅(qū)動(dòng)一個(gè)小管子:IRF530. Vgs 打開的電壓在3-4V。 用5V單片機(jī)的IO口直接驅(qū)動(dòng)行不？ 或者加個(gè)驅(qū)動(dòng)，74HC04 ，或者74LS04之類的。 1、增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力 2、電平轉(zhuǎn)換 你這個(gè)電壓較低，如果頻率較高，還要考慮IO口驅(qū)動(dòng)能力，最好選擇IRL系列邏輯驅(qū)動(dòng)管子 謝謝啦！ 那再問(wèn)個(gè)問(wèn)題，哈，就是我看一般都串個(gè)小電阻，幾十歐姆的小電阻，起啥作用啊 MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用 如果MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗 其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，易熱損壞 MOS管GS間存在一定電容，如果G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)重影響波形跳變的時(shí)間 至于那個(gè)小電阻，功能不是很確定，可能是防止過(guò)流吧！ 第一點(diǎn)：你說(shuō)的3-4V是導(dǎo)通電壓，此時(shí)的MOSFET雖然導(dǎo)通，但通態(tài)電阻（Rce）比較大，流過(guò)大電流時(shí)MOSFET發(fā)熱嚴(yán)重，所以一般柵極驅(qū)動(dòng)電壓都是在15V左右，驅(qū)動(dòng)IC可以把0-5V信號(hào)電壓變成0-15V的驅(qū)動(dòng)電壓，快速完成信號(hào)轉(zhuǎn)變； 第二點(diǎn)：IR的芯片有自舉功能，可以驅(qū)動(dòng)H橋高端的MOSFET而不需要加隔離電路；其次IR芯片的輸出15V驅(qū)動(dòng)電壓有大約400mA的驅(qū)動(dòng)電流（單片機(jī)IO最多20mA吧），可以保證MOSFET快速的開通，降低MOSFET的開關(guān)損耗。 此外，在一些大電流、高速應(yīng)用的場(chǎng)合，IR芯片是不用的，因?yàn)樗尿?qū)動(dòng)電流還是太小。大電流的MOSFET/IGBT柵極電容很大，又需要快速給柵極電容充電，讓柵極瞬間達(dá)到15V，以實(shí)現(xiàn)高頻的開關(guān)導(dǎo)通功能，顯然400mA太?。▽?shí)際峰值有的達(dá)到十幾A）。還有，開通的過(guò)程中，米勒效應(yīng)會(huì)加大柵極的電容，延遲開通過(guò)程，如果柵極驅(qū)動(dòng)電流不夠，米勒平臺(tái)會(huì)很長(zhǎng)，MOSFET/IGBT開通損耗更加大。 看看MOSFET/IGBT開通的柵極變化電流示意圖： 再看看米勒效應(yīng)： 當(dāng)然，你如果是小功率、低頻應(yīng)用場(chǎng)合，是不用考慮這些的，只需要給它15V的電壓甚至更低，就行了 你說(shuō)的幾十Ω電阻是串在柵極上吧？那是Rg電阻，這個(gè)電阻很重要。 MOSFET/IGBT柵極有電容和雜散電感、布線電感，驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O時(shí)這些電容、電感構(gòu)成LC震蕩電路，震蕩的電壓幅值會(huì)超過(guò)柵極安全電壓20V，Rg電阻就是起抑制這個(gè)震蕩作用的。Rg越大，柵極驅(qū)動(dòng)電壓變化越平緩，當(dāng)然開通時(shí)間也越長(zhǎng)；Rg越小，則柵極驅(qū)動(dòng)電壓變化越強(qiáng)烈，開通時(shí)間也越短。一般選值在3-10Ω（大功率、高頻應(yīng)用場(chǎng)合）。 看看不同Rg的柵極電壓變化 |
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